Olympic.or.id – Samsung baru saja menggebrak panggung teknologi global dengan memamerkan deretan inovasi memori dan penyimpanan terbaru mereka. Ajang Future of Memory and Storage (FMS) 2026 yang berlangsung di Santa Clara, California, Amerika Serikat, pada Rabu (5/8/2026), menjadi saksi bisu bagaimana raksasa teknologi asal Korea Selatan ini kembali menunjukkan taringnya di industri semikonduktor. Para pengamat industri pun langsung dibuat terpukau dengan sederet teknologi canggih yang dipamerkan, menandai babak baru dalam persaingan memori global.
Rekor Baru di Industri Semikonduktor: Chip 400 Layer yang Mengguncang Pasar
Yang paling menyita perhatian publik dan menjadi bintang utama dalam pameran kali ini adalah V10 Bonded V-NAND atau yang lebih dikenal dengan BV-NAND. Ini bukan sekadar chip memori flash biasa, melainkan generasi terbaru V-NAND yang berhasil memecahkan rekor sebagai yang pertama di industri dengan lebih dari 400 lapisan. Bayangkan betapa padatnya teknologi ini, seperti membangun gedung pencakar langit dengan lantai yang sangat banyak namun tetap stabil dan efisien.
Keberhasilan mencapai jumlah lapisan yang fantastis ini tidak lepas dari teknologi bonding canggih yang mereka terapkan. Teknik ini memungkinkan Samsung menyatukan dan menumpuk sel-sel memori dengan kerapatan luar biasa, seperti menyusun buku di rak dengan presisi tinggi tanpa menyia-nyiakan satu sentimeter ruang pun. Hasilnya benar-benar mencengangkan, karena Samsung mengklaim V10 BV-NAND mampu menyimpan data sekitar 58 persen lebih banyak dibandingkan pendahulunya, V9, meskipun ukuran chip-nya sama persis. Ini lompatan kapasitas yang sangat signifikan untuk industri memori.
Tidak hanya kapasitas yang meningkat drastis, performa juga mendapat peningkatan yang tidak main-main. Samsung menjanjikan kecepatan baca, tulis, dan input/output (I/O) yang jauh lebih tinggi dari generasi sebelumnya. Yang lebih menarik lagi, semua peningkatan performa ini dibarengi dengan efisiensi daya yang lebih baik, sehingga perangkat yang menggunakan memori ini tidak hanya lebih cepat tetapi juga lebih hemat energi. Kombinasi sempurna antara kecepatan dan efisiensi ini tentu menjadi incaran para produsen perangkat elektronik masa depan.
HBM5 dan zHBM: Dua Senjata Andalan Samsung untuk Dominasi Pasar AI
Samsung tidak berhenti pada V10 BV-NAND saja, karena mereka juga memperkenalkan HBM5, generasi terbaru dari High Bandwidth Memory yang selama ini menjadi primadona untuk chip kecerdasan buatan. Memori berkecepatan tinggi ini memang sangat krusial untuk menunjang kinerja AI yang membutuhkan akses data super cepat. Sebelumnya, Samsung bahkan telah memulai pengiriman sampel memori HBM4E kepada sejumlah pelanggan strategis, menunjukkan keseriusan mereka dalam menggarap pasar AI yang terus berkembang pesat.
Inovasi yang lebih mengejutkan lagi datang dari teknologi memori baru bernama zHBM yang benar-benar berbeda dari pendekatan konvensional. Berbeda dengan HBM biasa yang dipasang di samping chip AI, zHBM dirancang dengan konsep revolusioner untuk ditumpuk langsung di atas chip tersebut. Posisi yang lebih dekat ini bukan tanpa alasan, karena memungkinkan data berpindah dengan kecepatan kilat sekaligus mengurangi konsumsi daya secara signifikan. Samsung bahkan mengklaim zHBM mampu memberikan performa hingga delapan kali lebih tinggi dibandingkan HBM5, dengan kapasitas memori hingga 10 kali lebih padat, serta tiga kali lebih hemat energi.
Dari Edge AI hingga Data Center: Samsung Siapkan Ekosistem Memori Lengkap
Di sisi lain, Samsung juga memamerkan teknologi zNAND-O, sebuah terobosan flash memory generasi baru yang dibangun di atas arsitektur V-NAND. Saat ini, teknologi tersebut tengah dikembangkan dalam versi empat dan delapan layer yang diklaim menawarkan efisiensi ruang lebih baik, performa I/O lebih tinggi, serta latensi lebih rendah dibandingkan NAND konvensional. Ini seperti memberikan jalan tol khusus bagi data untuk bergerak lebih cepat tanpa hambatan.
Menariknya, Samsung memberikan spesialisasi untuk setiap teknologi yang mereka hadirkan. zNAND-O misalnya, secara khusus ditujukan untuk kebutuhan edge AI, yaitu pemrosesan AI yang berlangsung lebih dekat ke perangkat pengguna seperti smartphone dan perangkat IoT. Sementara itu, zHBM difokuskan untuk kebutuhan berat seperti pelatihan dan inferensi model AI di data center. Pembagian tugas ini menunjukkan bagaimana Samsung memahami betul kebutuhan pasar yang beragam di era kecerdasan buatan.
Inovasi lainnya yang tak kalah menarik adalah LPDDR5X-PIM, yang diklaim sebagai memori LPDDR pertama di industri dengan teknologi Processing-In-Memory (PIM). Teknologi ini memungkinkan sebagian proses komputasi dilakukan langsung di dalam memori sebelum data dikirim ke prosesor. Hasilnya, bandwidth meningkat drastis dan konsumsi daya menjadi lebih efisien karena data tidak perlu bolak-balik ke prosesor. Ini seperti memiliki asisten pribadi yang sudah mempersiapkan data sebelum diserahkan kepada bos, sehingga pekerjaan menjadi jauh lebih cepat dan efisien.
Seluruh teknologi mutakhir tersebut diperkenalkan Samsung dalam presentasi utama bertajuk “Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture”. Dalam presentasi yang dikumpulkan dari GSM Arena tersebut, Samsung dengan percaya diri menunjukkan bagaimana mereka tidak hanya mengikuti tren, tetapi justru menciptakan gelombang revolusi AI melalui inovasi tiga dimensi dalam arsitektur memori dan penyimpanan. Langkah ini sekaligus menegaskan posisi Samsung sebagai pemimpin industri yang terus mendorong batas-batas teknologi untuk masa depan yang lebih cerdas dan terhubung.
Temukan juga berbagai berita terbaru lainnya hanya di Exposenews.id.
